Home / 量子新知 王雅文|特約編輯 為提升半導體元件效能,如何透過新穎磊晶技術,製作出具優異材料特性的高質量薄膜是關鍵。傳統研究多偏重垂直磊晶結構的功能性質,而橫向磊晶調控技術,則為量子材料開發與下世代電子元件發展最大的挑戰之一。 此次成大物理系楊展其副教授團隊,與前沿量子科技研究中心陳宜君、陳則銘特聘教授團隊合作跨域研究。藉由開發自懸浮薄膜,提出一個控制材料側向磊晶的有效方案,可近乎隨心所欲地拼接薄膜的長程晶體排列,進而操控對應的量子特性與物理性質,開啟調控磊晶薄膜製造的嶄新方向。 成大副教授楊展及其研究團隊於《自然通訊》(Nature Communications)發表「Twisted oxide lateral homostructures with conjunction tunability」出處:資料來源1, 2 閱讀更多 資料來源 國立成功大學 https://web.ncku.edu.tw/p/406-1000-238337,r3375.php?Lang=zh-tw&fbclid=IwAR0r_YPMZg4YF2MTQuUG_4SZm7j6kezY4IuZ75wvo3apZUEi8n8fgz5HrVk聯合新聞網https://udn.com/news/story/6928/6304996 Category: 量子新知Tags: 半導體元件橫向磊晶調控技術磊晶技術 Share this post Share on FacebookShare on Facebook Share on XShare on X Post navigationPreviousPrevious post:從古典到量子|教育也要跟得上,看豪豬教授如何讓大腦與時代接軌!NextNext post:NTU-IBM Q System 2022使用者大會暨Qiskit量子計算HackathonRelated posts藉由固態氖降低量子位元雜訊2025 年 3 月 7 日質子裡面長什麼樣子?2025 年 2 月 4 日響應2025國際量子科學與技術年(IYQ)2025 年 1 月 13 日重塑超導量子電腦位元的基本方程式2024 年 12 月 26 日融合量子力學與相對論的新理論2024 年 12 月 5 日量子應用發展:利用原子力顯微鏡探測單一電子自旋2024 年 11 月 5 日