新一代尖端量子材料基石　成大物理系副教授楊展其師生跨域研究成果登上《Nature Communications》

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王雅文｜特約編輯

為提升半導體元件效能，如何透過新穎磊晶技術，製作出具優異材料特性的高質量薄膜是關鍵。傳統研究多偏重垂直磊晶結構的功能性質，而橫向磊晶調控技術，則為量子材料開發與下世代電子元件發展最大的挑戰之一。 

此次成大物理系楊展其副教授團隊，與前沿量子科技研究中心陳宜君、陳則銘特聘教授團隊合作跨域研究。藉由開發自懸浮薄膜，提出一個控制材料側向磊晶的有效方案，可近乎隨心所欲地拼接薄膜的長程晶體排列，進而操控對應的量子特性與物理性質，開啟調控磊晶薄膜製造的嶄新方向。

量子材料
成大副教授楊展及其研究團隊於《自然通訊》（Nature Communications）發表「Twisted oxide lateral homostructures with conjunction tunability」
出處：資料來源1, 2
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資料來源

  1. 國立成功大學
    https://web.ncku.edu.tw/p/406-1000-238337,r3375.php?Lang=zh-tw&fbclid=IwAR0r_YPMZg4YF2MTQuUG_4SZm7j6kezY4IuZ75wvo3apZUEi8n8fgz5HrVk
  2. 聯合新聞網
    https://udn.com/news/story/6928/6304996

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