楊允中 | 特約編輯 (臺灣大學化學系碩士生)
單光子光源的發展是量子訊息研究的重要環節，因此其相關技術發展至關重要。合格的單光子光源需要保證在有需求時能夠發射單個光子，且其純度大於50%。白熾燈泡或 LED等傳統光源一次發射單個光子的概率非常低。雷射光源雖然可以發射單光子流，但不能無法隨時保證有單光子。
日前，Nicolas Grandjean 教授領導的 EPFL 研究人員藉由在矽底材上生長的寬帶隙半導體量子點，成功研發出由氮化鎵和氮化鋁 (GaN/AlN) 組成的單光子光源，不僅符合成本效益，在低溫下也具有 95% 的單光子純度，在室溫下純度為 83%。此光源在高達 1 MHz 的光子發射率下，仍然能保持單光子純度超過 50%，對半導體在單光子光源的應用上做出一大貢獻。
資料來源
- Single photon emitter takes a step closer to quantum tech
https://phys.org/news/2022-05-photon-emitter-closer-quantum-tech.html - Single photon emission and recombination dynamics in self-assembled GaN/AlN quantum dots
https://www.nature.com/articles/s41377-022-00799-4
